SiC器件檢測

SiC器件檢測

碳化硅(SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。中科檢測能提供專業(yè)的SiC器件檢測服務(wù),出具的SiC器件檢測報告。

SiC器件 檢測背景

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。
SiC器件主要應(yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。
中科檢測能提供專業(yè)的SiC器件檢測服務(wù),出具的SiC器件檢測報告。

SiC器件 檢測范圍

(1)碳化硅肖特基二極管
(2)碳化硅功率晶體管

SiC器件 檢測項目

可靠性試驗:
低溫試驗、高溫試驗、濕熱試驗、快速溫變試驗、振動(正弦)試驗、三綜合(振動+溫濕度環(huán)境)試驗、隨機振動試驗、低頻振動試驗、高頻振動試驗、沖擊試驗試驗、防塵防水試驗、氣體腐蝕試驗(二氧化硫、硫化氫、二氧化氮、氯氣)
電性能測試:
接觸電阻測試、絕緣電阻測試、泄漏電流測試、電阻率/導(dǎo)電率測試、導(dǎo)體電阻測試

SiC器件 檢測標準

GB/T 5095.2.1997 電子設(shè)備用機電元件基本試驗規(guī)程及測量方法 第2部分:一般檢查、電連續(xù)性和接觸電阻測試、絕緣試驗和電壓應(yīng)力試驗
IEC 60068-2-42:2003 環(huán)境試驗 第2-42部分:試驗 試驗Kc:觸點和連接件的二氧化硫試驗
GB/T 2423.19-2013 環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗Kc:接觸點和連接件的二氧化硫試驗
GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗N:溫度變化
GB/T 2423.27-2020 環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗方法和導(dǎo)則:溫度/低氣壓或溫度/濕度/低氣壓綜合試驗
GB/T 2423.33-2021 環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗Kca:高濃度二氧化硫試驗
GB/T 2423.34-2012 環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗Z/AD:溫度/濕度組合循環(huán)試驗
GB/T 2423.61-2018 環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗和導(dǎo)則:大型試件砂塵試驗
GB/T 2423.63-2019 環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗:溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(混合模式)綜合
GB/T 2423.38-2021 環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗R:水試驗方法和導(dǎo)則

SiC器件檢測 服務(wù)流程

1、事先與中科檢測實驗室溝通

2、填寫申請表

3、將樣品快遞或直接送至我司實驗室

4、產(chǎn)品檢測,實驗室安排測試

5、審核報告,發(fā)正式報告


SiC器件檢測 服務(wù)優(yōu)勢

1.擁有眾多先進儀器設(shè)備并通過CMA/CNAS資質(zhì)認可,測試數(shù)據(jù)準確可靠,檢測報告具有國際公信力。


2.科學(xué)的實驗室信息管理系統(tǒng),保障每個服務(wù)環(huán)節(jié)的高效運轉(zhuǎn)。


3.技術(shù)專家團隊實踐經(jīng)驗豐富,可提供專業(yè)、迅速、全面的一站式服務(wù)。


4.服務(wù)網(wǎng)絡(luò)遍布全球,眾多一線品牌指定合作實驗室。


SiC器件檢測 報告用途

產(chǎn)品質(zhì)控:國內(nèi)外市場銷售,資質(zhì)認證等等;

電商品控:產(chǎn)品進入超市或賣場,網(wǎng)站商城等;

貿(mào)易活動:政府部門、事業(yè)單位招投標、申請補助等;

工廠評估:工商抽檢或市場監(jiān)督等;



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